книга Физико-химические основы легирования полупроводников
0

Физико-химические основы легирования полупроводников

  • Сейчас читают 0
  • Отложили 0
  • Прочитали 0
  • Не дочитали 0
В монографии обобщены результаты исследования принципов и процессов легирования германия и кремния с позиций физической химии и физики твердого тела. В первой главе последовательно и полно изложены принципы легирования полупроводников. Во второй главе собран и проанализирован...Ещё
В монографии обобщены результаты исследования принципов и процессов легирования германия и кремния с позиций физической химии и физики твердого тела. В первой главе последовательно и полно изложены принципы легирования полупроводников. Во второй главе собран и проанализирован практически весь имеющийся материал по двойным системам на основе германия и кремния. Графический материал в виде диаграммы состояния с микрообластями твердых растворов является справочным материалом. Третья глава посвящена важному вопросу взаимодействия компонентов в полупроводниковых системах. Собраны практически все исследованные тройные диаграммы состояния для германия и кремния типа полупроводник — акцептор — донор. Вопросы взаимодействия рассматриваются с позиций физико-химического анализа. В последней, четвертой, главе, посвященной методам легирования и получению материала с заданными свойствами, наглядно показана роль диаграммы состояния в определении методов и условий легирования при...

Материалы

Отзывы

Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.
Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Чтобы добавить отзыв, вы должны .

Цитаты

Вы можете первыми опубликовать цитату

Чтобы добавить цитату, вы должны .