Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия

На основе литературных данных и результатов оригинальных исследований авторов рассмотрены проблемы использования эмиссионной мессбауэровской спектроскопии в области радиационного дефектообразования в твердых телах (проблемы под- и надпорогового дефектообразования в полупроводниках и диэлектриках), обсуждены возможности эмиссионной мессбауэровской спектроскопии для изучения состояния примесных атомов в кристаллических и аморфных полупроводниках (проблемы комплексообразования примесных атомов с другими дефектами решетки, механизмы компенсации избыточного заряда аливалентных примесей в кристаллах и влияние аморфизации на состояние примесных атомов в полупроводниках, процессы одно- и двухэлектронного обмена в полупроводниках, структурные исследования аморфных полупроводников). Книга предназначена научным сотрудникам, докторантам и аспирантам, которые специализируются в области физики полупроводников.